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0.03微米芯片制造工艺有望走出实验室

2020-03-03 00:23:16
使用超紫外线光刻技术(EUV)的芯片制造机器在实验室揭开面纱。如果这项技术 走出实验室,它有望维持芯片处理能力的持续提高的期限再延长30年。   这种超紫外线光刻技术能够将芯片的规格缩小到0.03微米,其技术关键在于紫外 光的波长,因为超紫外光有较短的波长,能够将小尺寸的电路蚀刻在硅薄片上。但这种不 可见光能够被空气和聚焦透镜吸收,因此必须在真空状态下进行操作。   从90年代开始,英特尔公司、摩托罗拉公司和高级微设备公司等公司就开始研发超 紫外线光刻技术。目前还存在一些技术问题亟待解决。   目前使用的是紫外线光刻技术使用的是深紫外光,这一工艺在理论上能够蚀刻印刷电 路的最小尺寸为0.1微米,以目前芯片的更新速度计算,到2003年即将达到这一极 限。而超紫外线光刻技术可使摩尔定律有效期延长到2010年。   1965年,英特尔公司合作奠基人摩尔预言,芯片上晶体管数量每隔18个月就会 翻一番,被称为著名的“ 摩尔定律”。到目前为止,这一定律还是正确性。